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探討以氮化銦鎵(InGaN)作為基板的高亮度藍光發光二極體(LED)的發展及應用於照明的展望 | |
講者: | 中村修二教授 (2014年諾貝爾物理學獎得主、美國加州大學聖塔芭芭拉分校教授) |
日期及時間: | 2015年4月24 日 (星期五) 中午12時至下午1時 |
語言: | 英語 |
地點: | 澳門科學館會議中心 |
講者介紹: | 中村修二教授於1977年在德島大學電子工程本科畢業,並在兩年後獲得該科的碩士學位。完成學業後,他加入了位於德島的日亞化學工業,並在1994年取得德島大學的博士學位。他在1999年離開了日亞化學工業,在加州大學聖塔芭芭拉分校擔任教授。 在2014年,中村修二教授憑著研發“高效藍色發光二極管”與其他兩名學者同時榮獲諾貝爾物理學獎。 |
講座介紹: | 本講座描述了以氮化銦鎵(InGaN)為基板的藍光發光二極體(LED)的發展歷程。目前藍寶石(Sapphire)晶圓基板仍然為產業主流。而氮化鎵對氮化鎵基板(GaN-on-GaN)技術則能有效地改善發光二極體的表現。 |
4月24日至5月6日,本館會在大堂展覽廳舉辦免費的藍光LED展覽,歡迎公衆參觀。
備註:講座免費入場,但座位有限,敬請先進行預約。另講者、日期及講題均以本館網頁內最新公佈為準。